在光刻加工中，扫描探针光刻(SPL) 是另一组使用扫描探针在纳米级图案化到单个原子的技术，通过蚀刻掉不需要的材料，或直接将新材料写入基板上。该类别中的一些重要技术包括蘸笔纳米光刻、热化学纳米光刻、热扫描探针光刻和局部氧化纳米光刻。蘸笔纳米光刻技术是这些技术中应用最广泛的。

电子束光刻曝光出的矩形阵列-2.jpg电子束光刻曝光出的矩形阵列-2.jpg

纳米压印光刻(NIL) 及其变体，是光刻加工的另一个技术。它本质是一种印刷复制技术，早在20世纪就被提出。例如步进和闪光压印光刻和激光辅助定向压印 (LADI) 是很有前途的纳米图案复制技术，其中图案是通过压印抗蚀剂的机械变形创建的，通常是单体或聚合物形成在压印过程中通过加热或紫外线固化。[这种技术可以与接触印刷和冷焊相结合。纳米压印光刻能够产生亚 10 纳米水平的图案。

光刻加工的其他技术--带电粒子光刻。这组技术包括离子和电子投射光刻。离子束光刻使用聚焦或宽束高能轻质离子（如 He +）将图案转移到表面。使用离子束接近光刻 (IBL) 纳米级特征可以转移到非平面表面上。

磁光刻 (ML) 基于使用称为“磁掩模”的顺磁性金属掩模在基板上施加磁场。类似于光掩模的磁性掩模定义了外加磁场的空间分布和形状。第二个组件是铁磁纳米粒子（类似于光刻胶），它们根据磁掩模感应的场组装到基板上。