光刻加工中的抵抗，涉及光刻胶。抗蚀剂是悬浮在溶剂中的聚合物。根据抗蚀剂的类型，可以使用紫外线或电子束选择性地去除它。所有抗性都可以大致分为正抗性或负抗性，其中阳性是最常见的。在正性抗蚀剂中，曝光区域在抗蚀剂显影后被去除。在负抗蚀剂中，曝光区域在抗蚀剂显影后保留。

 

不同类型的光刻使用不同类型的抗蚀剂，因此光刻加工工艺工程师需要检查哪种抗蚀剂适合当下光刻加工工艺。

 

显影剂

显影剂是一种用于在曝光后蚀刻掉光刻胶的基质。像LNF 提供多种显影剂：AZ 726、AZ 300、AZ 400K、MF 319和Microposit Developer。开发人员可以在Base Bench 63、Base Bench 91、ACS 200和任一CEE Developer 使用。在此过程中需要检查每个工具，了解允许或可用的开发人员。

 

掩膜版的制作

掩模用于在曝光过程中阻挡光线，因此只有所需图案内的光刻胶才会曝光。如果工程师需要跨多个样本使用相同的模式，这将非常有用。掩模是带有一层铬和一层光刻胶的玻璃或熔融石英衬底。光刻胶以工程师想要的图案曝光，然后显影。然后，使用铬蚀刻来设置掩模中的图案。